| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671553020 |
| Дата корректировки | 14:40:02 12 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Романов, В. В. | |
|
Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ Электронный ресурс |
|
| Effect of multicomponent matrix InAsSbP surface on formation of InSb quantum dots at MOVPE growth | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Квантовые точки (7-9) · 10{9} см{-2} InSb были получены на подложке InAs(001) методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при температуре T = 440°С. Эпитаксиальное осаждение происходило одновременно на бинарную матрицу InAs и матричный слой четверного твердого раствора InAsSbP, изопериодного по параметру решетки с подложкой InAs. Трансформация формы и размеров квантовых точек InSb наблюдалась в зависимости от химического состава рабочей поверхности матрицы, на которую происходило наращивание. Использование многокомпонентного матричного слоя дает возможность управлять параметром постоянной решетки матрицы и деформацией системы при образовании самообразующихся квантовых точек. |
| Ключевые слова | квантовые точки |
|
газофазная эпитаксия эпитаксиальное осаждение арсенид индия антимонид индия полупроводники |
|
|
Дементьев, П. А. Моисеев, К. Д. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 7. - С. 927-931 |
|
| Имя макрообъекта | Романов_влияние |
| Тип документа | b |
