| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671290560 |
| Дата корректировки | 13:55:18 9 апреля 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2020.02.48871.584 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Командин, Г. А. | |
|
Диэлектрические потери тонкопленочных образцов SiO[2] на Al в THz-IR-диапазоне Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 28 назв. |
| Аннотация | Создание новых диэлектрических материалов для изолирующих слоев межсоединений с низкими потерями на высоких частотах (low-k) является одним из магистральных направлений современной микроэлектроники. В настоящее время проводятся исследования различных модификаций стандартных для современных интегральных схем диэлектрических структур на основе SiO[2], различающихся по составу и морфологическим характеристикам. В данной работе методами терагерцовой (THz) и IR-спектроскопии изучаются диэлектрические потери тонкопленочных образцов SiO2 на Al-подложке. Обнаружены существенные отличия спектров таких структур по сравнению с объемными образцами плавленого кварца, в том числе резонансные моды Берримана. |
| Ключевые слова | пленки |
|
тонкие пленки диоксид кремния подложки алюминия диэлектрические потери диэлектрическая спектроскопия терагерцовый диапазон |
|
| Другие авторы | Ноздрин, В. С. |
|
Пронин, А. А. Породинков, О. Е. Анзин, В. Б. Спектор, И. Е. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 62, вып. 2. - С. 223-228 |
| Имя макрообъекта | Командин_диэлектрические |
| Тип документа | b |
