| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671216216 |
| Дата корректировки | 17:11:13 8 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Кривякин, Г. К. | |
|
Оптические свойства p-i-n-структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов Электронный ресурс |
|
| Optical properties of a-Si :H based p-i-n-structures with Si nanocrystals formed in i-layers using nanosecond pulse laser annealing | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 28 назв. |
| Аннотация | C применением импульсных лазерных отжигов в i-слоях p-i-n-структур на основе a-Si : H были сформированы нанокристаллы Si. Для импульсных воздействий применялся эксимерный лазер XeCl с длиной волны 308 нм, с длительностью импульса 15 нс. Плотность энергии лазерного излучения изменялась в пределах от 100 мДж/см{2} (ниже порога плавления) до 250 мДж/см{2} (выше порога плавления). Оценка размеров нанокристаллов проводилась из анализа спектров комбинационного рассеяния света с использованием модели локализации фононов, средний размер составил от 2.5 до 3.5 нм в зависимости от параметров лазерных воздействий. Созданные p-i-n-структуры обладали диодными ВАХ. Обнаружен сигнал электролюминесценции в ИК-диапазоне от p-i-n-структур с нанокристаллами Si, положение пика (0.9-1 эВ) варьировалось с параметрами лазерных воздействий. Излучательные переходы связаны, предположительно, с состояниями на границе нанокристалл/аморфная матрица. Предложенный подход может быть использован для создания светоизлучающих диодов на нетугоплавких подложках. |
| Ключевые слова | гидрогенизированный кремний |
|
кремний нанокристаллы кремния импульсные лазерные отжиги светоизлучающие диоды светодиоды электролюминесценция |
|
|
Володин, В. А. Кочубей, С. А. Камаев, Г. Н. Purkrt, A. Remeso, Z. Fajgar, R. Stuchlikova, T. H. Stuchliko, J. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 7. - С. 952-957 |
| Имя макрообъекта | Кривякин_оптические |
| Тип документа | b |
