| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671214664 |
| Дата корректировки | 16:52:00 8 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Котоусова, И. С. | |
|
Электронографическое исследование стадий формирования графеновой пленки при термодеструкции 6H-SiC (0001) в вакууме Электронный ресурс |
|
| Electron diffraction study of the stages of graphene film formation during thermal destruction of 6H-SiC (0001) in vacuum | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Проведено электронографическое исследование структуры графеновых слоев, полученных сублимацией на поверхности подложки 6H-SiC (0001), в зависимости от температуры сублимации и способа предобработки поверхности подложки. Установлено, что применение полирующего сублимационного травления подложки перед термодеструкцией при температуре 1350°C на поверхности подложки приводит к образованию доменов монокристаллического графена с разворотом его кристаллической решетки на 30° относительно решетки SiC и небольшой доли доменов с аморфной структурой. Повышение температуры до 1500°C приводит к частичному образованию в пленке поликристаллической фазы графена с турбостратной структурой при сохранении преимущественной ориентации кристаллитов графена, как при 1350°C. Применение предростового отжига перед термодеструкцией позволяет вырастить графеновую пленку с более упорядоченной и однородной структурой без включений в нее аморфной и поликристаллической составляющих. Преимущественная ориентация доменов графена в пленке остается неизменной. |
| Ключевые слова | графеновая пленка |
|
термодеструкция графен карбид кремния электронография полупроводниковые приборы |
|
|
Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 7. - С. 967-972 |
|
| Имя макрообъекта | Котоусова_электронографическое |
| Тип документа | b |
