| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Электронографическое исследование стадий формирования графеновой пленки при термодеструкции 6H-SiC (0001) в вакууме Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Проведено электронографическое исследование структуры графеновых слоев, полученных сублимацией на поверхности подложки 6H-SiC (0001), в зависимости от температуры сублимации и способа предобработки поверхности подложки. Установлено, что применение полирующего сублимационного травления подложки перед термодеструкцией при температуре 1350°C на поверхности подложки приводит к образованию доменов монокристаллического графена с разворотом его кристаллической решетки на 30° относительно решетки SiC и небольшой доли доменов с аморфной структурой. Повышение температуры до 1500°C приводит к частичному образованию в пленке поликристаллической фазы графена с турбостратной структурой при сохранении преимущественной ориентации кристаллитов графена, как при 1350°C. Применение предростового отжига перед термодеструкцией позволяет вырастить графеновую пленку с более упорядоченной и однородной структурой без включений в нее аморфной и поликристаллической составляющих. Преимущественная ориентация доменов графена в пленке остается неизменной. |
| Ключевые слова | графеновая пленка |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 7. - С. 967-972 |
|
| Имя макрообъекта | Котоусова_электронографическое |
