Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/671213848 |
Дата корректировки | 16:24:58 8 апреля 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Кожухов, А. С. | |
Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния Электронный ресурс |
|
Indium nanowires on silicon | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
Аннотация | На поверхности кремния прямым локальным перепылением с зонда атомно-силового микроскопа созданы проводящие индиевые нанопроволоки шириной до 50 нм и длиной до 10 мкм. Перенос индия с зонда атомно-силового микроскопа на поверхность кремния инициировался при приложении потенциала между зондом и поверхностью при их сближении до расстояний, когда сила взаимного отталкивания составляет ~ 10{-7} Н. Проводимость созданных нанопроволок лежит в диапазоне от 7 · 10{-3} до 4 · 10{-2} Ом · см, что на несколько порядков меньше, чем в альтернативном методe термального переноса. |
Ключевые слова | индиевые нанопроволоки |
индий нанопроволоки кремний атомно-силовой микроскоп полупроводники |
|
Щеглов, Д. В. Латышев, A. В. |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 7. - С. 918-920 |
|
Имя макрообъекта | Кожухов_индиевые |
Тип документа | b |