Поиск

Локальная эмиссионная спектроскопия микрозерен поверхности полупроводников A{III}B{V}

Авторы: Жуков, Н. Д. Глуховской, Е. Г. Мосияш, Д. С.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/671206576
Дата корректировки 14:40:36 8 апреля 2021 г.
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Жуков, Н. Д.
Локальная эмиссионная спектроскопия микрозерен поверхности полупроводников A{III}B{V}
Электронный ресурс
Local emission spectroscopy of micrograins on A{III}B{V} semiconductor surface
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 18 назв.
Аннотация В туннельном микроскопе в режиме полевой эмиссии на выбираемых локально микрозернах поверхности антимонида и арсенида индия, арсенида галлия исследованы спектры плотности и параметры уровней электронных состояний. Методом соответствия вольт-амперных характеристик и формулы для вероятности эмиссии через уровни найдены значения энергии их активации и времени жизни электронов на них. Идентифицированы два типа уровней электронной локализации - в объеме и в приповерхностной зоне микрозерна. Предложена физическая модель - локализация легких электронов за счет кулоновского взаимодействия и их размерное квантование, определяемые эффективной массой, энергией и концентрацией электронов, кривизной поверхности микрозерна.
Ключевые слова локальная эмиссионная спектроскопия
полупроводники A{III}B{V}
антимонид индия
арсенид индия
арсенид галлия
кулоновское взаимодействие
Глуховской, Е. Г.
Мосияш, Д. С.
Физика и техника полупроводников
2016
Т. 50, вып. 7. - С. 911-917
Имя макрообъекта Жуков_локальная
Тип документа b