Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/671203558 |
Дата корректировки | 13:35:13 8 апреля 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Астрова, Е. В. | |
Электрохимическое литирование кремния с разной кристаллографической ориентацией Электронный ресурс |
|
Electrochemical lithiation of silicon with different crystallographic orientation | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 26 назв. |
Аннотация | Для изучения анизотропии внедрения лития в кремниевые аноды литий-ионных аккумуляторов использовались микроструктуры в виде сетки с вертикальными стенками толщиной 0.5 мкм и пластины монокристаллического кремния, имеющие разную ориентацию. Электрохимическое литирование проводилось при комнатной температуре в гальваностатическом режиме. Исследовались зарядные кривые микроструктурных и плоских кремниевых анодов. С помощью вторичной ионной масс-спектрометрии определялось распределение внедренных атомов Li по глубине пластины. Для анализа экспериментальных данных использовалась двухфазная модель, согласно которой процесс литирования лимитируется скоростью продвижения фронта между аморфным сплавом с высоким содержанием Li и кристаллической кремниевой подложкой. Определено соотношение между скоростями внедрения лития в разные кристаллографические плоскости: (110), (111) и (100) V[110] : V[111] : V[100] = 3.1 : 1.1 : 1.0. Продемонстрировано, что микроструктурные аноды со стенками (110) имеют наиболее высокий циклический ресурс и при скорости заряда/разряда 0.36 С выдерживают ~ 600 циклов. |
Нащёкин, А. В. | |
Ключевые слова | электрохимическое литирование |
кристаллографическая ориентация кремний кремниевые аноды литий-ионные аккумуляторы гальваностатическое литирование |
|
Румянцев, А. М. Ли, Г. В. Нащекин, А. В. Казанцев, Д. Ю. Бер, Б. Я. Жданов, В. В. |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 7. - С. 979-986 |
|
Имя макрообъекта | Астрова_электрохимическое |
Тип документа | b |