Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/671022570 |
Дата корректировки | 11:18:31 6 апреля 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Жуков, Н. Д. | |
Локально-эмиссионная инжекция электронов в микрозерна поверхности полупроводников А{III}В{V} Электронный ресурс |
|
Local injection of emitted electrons into micrograins on the surface of A{III}B{V} semiconductors | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
Аннотация | На туннельном микроскопе в режиме полевой эмиссии на выбираемых локально микрозернах поверхности антимонида и арсенида индия, арсенида галлия исследованы характеристики инжекции электронов в полупроводник из нанозазора микрозонд-микрозерно. Методом сопоставления экспериментальных вольтамперных характеристик и рассчитанных формул токопереноса установлены механизмы тока и определены параметры. Обнаружен эффект ограничения тока в микрозернах антимонида и арсенида индия, проявляющийся при уровнях инжекции более некоторого критического значения - 6 · 10{16} см{-3} для антимонида, 4 · 10{17} см{-3} для арсенида индия. Предложена физическая модель - локализация электронов в приповерхностной зоне микрозерна за счет их кулоновского взаимодействия |
Ключевые слова | локально-эмиссионная инжекция |
антимонид арсенид индия арсенид галлия микрозерна туннелирование электронов полупроводники A{III}B{V} дырочные полупроводники |
|
Глуховской, Е. Г. Хазанов, А. А. |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 6. - С. 772-776 |
|
Имя макрообъекта | Жуков_локально |
Тип документа | b |