Поиск

Локально-эмиссионная инжекция электронов в микрозерна поверхности полупроводников А{III}В{V}

Авторы: Жуков, Н. Д. Глуховской, Е. Г. Хазанов, А. А.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/671022570
Дата корректировки 11:18:31 6 апреля 2021 г.
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Жуков, Н. Д.
Локально-эмиссионная инжекция электронов в микрозерна поверхности полупроводников А{III}В{V}
Электронный ресурс
Local injection of emitted electrons into micrograins on the surface of A{III}B{V} semiconductors
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 13 назв.
Аннотация На туннельном микроскопе в режиме полевой эмиссии на выбираемых локально микрозернах поверхности антимонида и арсенида индия, арсенида галлия исследованы характеристики инжекции электронов в полупроводник из нанозазора микрозонд-микрозерно. Методом сопоставления экспериментальных вольтамперных характеристик и рассчитанных формул токопереноса установлены механизмы тока и определены параметры. Обнаружен эффект ограничения тока в микрозернах антимонида и арсенида индия, проявляющийся при уровнях инжекции более некоторого критического значения - 6 · 10{16} см{-3} для антимонида, 4 · 10{17} см{-3} для арсенида индия. Предложена физическая модель - локализация электронов в приповерхностной зоне микрозерна за счет их кулоновского взаимодействия
Ключевые слова локально-эмиссионная инжекция
антимонид
арсенид индия
арсенид галлия
микрозерна
туннелирование электронов
полупроводники A{III}B{V}
дырочные полупроводники
Глуховской, Е. Г.
Хазанов, А. А.
Физика и техника полупроводников
2016
Т. 50, вып. 6. - С. 772-776
Имя макрообъекта Жуков_локально
Тип документа b