| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670944528 |
| Дата корректировки | 13:56:42 5 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Стефанович, Г. Б. | |
|
Зарядоперенос в выпрямляющих оксидных гетероструктурах и оксидные элементы доступа ReRAM Электронный ресурс |
|
| Charge transfer in rectifying oxide heterostructures and oxide access elements in ReRAM | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Обсуждаются основные аспекты синтеза и экспериментального исследования диодных оксидных гетероструктур в плане их использования в качестве селекторных диодов - элементов доступа в оксидной резистивной памяти. Показано, что зарядоперенос в данных материалах существенно отличается от механизма проводимости в p-n-переходах на основе традиционных полупроводников (Si, Ge, A{III}B{V}), а модель должна учитывать электронные свойства оксидов, главным образом низкую дрейфовую подвижность носителей заряда. Установлено, что увеличение прямого тока требует наличия в составе гетероструктур оксида с малой шириной запрещенной зоны (< 1.3 эВ). Исследованы гетероструктуры с оксидами Zn, In-Zn (IZO), Ti, Ni и Cu, среди которых гетеропереход CuO-IZO имеет наибольшую плотность прямого тока (10{4} А/см{2}). |
| Ключевые слова | зарядоперенос |
|
оксидные гетероструктуры гетероструктуры оксидные элементы доступа ReRAM ReRAM диодные оксидные гетероструктуры селекторные диоды полупроводниковые материалы оксиды металлов оксидные бинарные полупроводники |
|
|
Пергамент, А. Л. Борисков, П. П. Куроптев, В. А. Стефанович, Т. Г. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 650-656 |
| Имя макрообъекта | Стефанович_зарядоперенос |
| Тип документа | b |
