| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Зарядоперенос в выпрямляющих оксидных гетероструктурах и оксидные элементы доступа ReRAM Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Обсуждаются основные аспекты синтеза и экспериментального исследования диодных оксидных гетероструктур в плане их использования в качестве селекторных диодов - элементов доступа в оксидной резистивной памяти. Показано, что зарядоперенос в данных материалах существенно отличается от механизма проводимости в p-n-переходах на основе традиционных полупроводников (Si, Ge, A{III}B{V}), а модель должна учитывать электронные свойства оксидов, главным образом низкую дрейфовую подвижность носителей заряда. Установлено, что увеличение прямого тока требует наличия в составе гетероструктур оксида с малой шириной запрещенной зоны (< 1.3 эВ). Исследованы гетероструктуры с оксидами Zn, In-Zn (IZO), Ti, Ni и Cu, среди которых гетеропереход CuO-IZO имеет наибольшую плотность прямого тока (10{4} А/см{2}). |
| Ключевые слова | зарядоперенос |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 650-656 |
| Имя макрообъекта | Стефанович_зарядоперенос |
