| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670689845 |
| Дата корректировки | 15:00:59 2 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Моисеев, К. Д. | |
|
Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 6 назв. |
| Аннотация | Эпитаксиальные слои в системе твердых растворов InAs1[-x-y]Sb[y]P[x] в диапазоне составов 0 < x < 0.72 получены на подложке InAs(001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ). Послойный анализ полученных структур с помощью метода масс-спектрометрии вторичных ионов показал градиентное изменение состава вдоль направления наращивания. Резкое изменение состава на гетерогранице слой/подложка наблюдалось для четверных твердых растворов InAsSbP благодаря присутствию радикалов соединений мышьяка в газовой фазе. При эпитаксиальном наращивании на подложку InAs в системе твердых растворов InAsSbP методом МОГФЭ уменьшение содержания мышьяка в твердой фазе менее (1 - x - y) < 0.3 приводило к подавлению градиентности осаждаемого слоя, а также и подавлению колебаний состава в начальном переходном слое. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные слои |
|
формирования эпитаксиальных слоев твердые растворы газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений |
|
| Другие авторы | Романов, В. В. |
| Кудрявцев, Ю. А. | |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 11. - С. 2203-2207 |
| Имя макрообъекта | Моисеев_особенности |
| Тип документа | b |
