| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670685439 |
| Дата корректировки | 13:41:48 2 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Малышева, Е. И. | |
|
Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/n{+}-GaAs/(Ga,Mn)As Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Проведено исследование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и инжектором в виде ферромагнитного слоя (Ga,Mn)As. Показана возможность управления эффективностью спиновой инжекции электронов в структуре с туннельным барьером (Ga,Mn)As/n{+}-GaAs путем варьирования параметров n{+}-GaAs. Обсуждаются механизмы управления спиновой инжекцией, связанные с термической активацией и туннелированием носителей. |
| Ключевые слова | ферромагнитные структуры |
|
туннелирование инжекция спиновая инжекция электронов |
|
| Другие авторы | Дорохин, М. В. |
|
Здоровейщев, А. В. Ведь, М. В. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 11. - С. 2190-2194 |
| Имя макрообъекта | Малышева_туннелирование |
| Тип документа | b |
