| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670678917 |
| Дата корректировки | 11:52:53 2 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Алпатов, А. В. | |
|
Исследование корреляционных свойств структуры поверхности пленок nc-Si/a-Si : H с различной долей кристаллической фазы Электронный ресурс |
|
| The investigation of surface structure correlation properties of nc-Si/a-Si : H films with different percent of crystalline phase | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Методом двухмерного флуктуационного анализа с исключенным трендом исследованы корреляционные свойства структуры пленок nc-Si/a-Si : H с различной объемной долей кристаллической фазы. Анализ рельефа поверхности экспериментальных образцов показал, что по мере увеличения объемной доли кристаллической фазы в пленках nc-Si/a-Si : H наблюдалось увеличение размера и количества нанокластеров на их поверхности. Размеры нанокристаллов Si в матрице a-Si : H (6.8нм) указывают на то, что крупные нанокластеры образовались в результате самоорганизации нанокристаллов Si в группы при воздействии лазерного излучения. С помощью метода двухмерного флуктуационного анализа с исключенным трендом выявлено, что по мере увеличения доли нанокристаллов в пленках nc-Si/a-Si : H возрастало количество корреляционных векторов (гармонических составляющих) в их структуре. |
| Ключевые слова | нанокластеры |
|
нанокристаллы пленки nc-Si/a-Si кремний гидрогенизированный аморфный кремний кристаллизация пленок лазерное излучение полупроводники |
|
|
Вихров, С. П. Казанский, А. Г. Лясковский, В. Л. Рыбин, Н. Б. Рыбина, Н. В. Форш, П. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 600-606 |
| Имя макрообъекта | Алпатов_исследование |
| Тип документа | b |
