Исследование корреляционных свойств структуры поверхности пленок nc-Si/a-Si : H с различной долей кристаллической фазы - Статьи - Базы данных - БГТУ

Исследование корреляционных свойств структуры поверхности пленок nc-Si/a-Si : H с различной долей кристаллической фазы

Авторы: Алпатов, А. В. Вихров, С. П. Казанский, А. Г. Лясковский, В. Л. Рыбин, Н. Б. Рыбина, Н. В. Форш, П. А.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Исследование корреляционных свойств структуры поверхности пленок nc-Si/a-Si : H с различной долей кристаллической фазы Электронный ресурс
Аннотация	Методом двухмерного флуктуационного анализа с исключенным трендом исследованы корреляционные свойства структуры пленок nc-Si/a-Si : H с различной объемной долей кристаллической фазы. Анализ рельефа поверхности экспериментальных образцов показал, что по мере увеличения объемной доли кристаллической фазы в пленках nc-Si/a-Si : H наблюдалось увеличение размера и количества нанокластеров на их поверхности. Размеры нанокристаллов Si в матрице a-Si : H (6.8нм) указывают на то, что крупные нанокластеры образовались в результате самоорганизации нанокристаллов Si в группы при воздействии лазерного излучения. С помощью метода двухмерного флуктуационного анализа с исключенным трендом выявлено, что по мере увеличения доли нанокристаллов в пленках nc-Si/a-Si : H возрастало количество корреляционных векторов (гармонических составляющих) в их структуре.
Ключевые слова	нанокластеры
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2016
Прочая информация	Т. 50, вып. 5. - С. 600-606
Имя макрообъекта	Алпатов_исследование