| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670678740 |
| Дата корректировки | 11:54:10 2 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Торопов, А. А. | |
|
Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300K Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты теоретической оптимизации конструкции гетероструктур с квантовыми ямами на основе твердых растворов AlGaN с целью достижения максимальной энергии активации носителей заряда и максимальной энергии связи экситона при длине волны излучения ~ 300 nm. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота изготовлен образец оптимизированной конструкции, в котором излучательная рекомбинация доминирует во всем диапазоне температур от 5 до 300 K, а внутренний квантовый выход при комнатной температуре составляет порядка 80% от величины, измеренной при 5 K. |
| Ключевые слова | наноструктуры |
|
нитрид алюминия-галлия гетероструктуры с квантовыми ямами твердые растворы нитрида алюминия-галлия полупроводниковые материалы |
|
| Другие авторы | Шевченко, Е. А. |
|
Шубина, Т. В. Жмерик, В. Н. Нечаев, Д. В. Pozina, G. Иванов, С. В. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 11. - С. 2180-2185 |
| Имя макрообъекта | Торопов_наноструктуры |
| Тип документа | b |
