Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300K
Торопов, А. А., Шевченко, Е. А., Шубина, Т. В., Жмерик, В. Н., Нечаев, Д. В., Pozina, G., Иванов, С. В.
Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300K, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 11. - С. 2180-2185 .-
Торопов_наноструктуры
