| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670522440 |
| Дата корректировки | 16:19:54 1 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Аверичкин, П. А. | |
|
Создание карбидкремнийоксидных нанослоев на поверхности поликристаллического алмаза для использования их в качестве буферов при эпитаксии нитрида галлия Электронный ресурс |
|
| Elalboration of carbidsiliconoxide layers at the polycrystalline diamond surface for it use as a buffer for gallium nitride epitaxy | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты использования карбидкремнийоксидных (a-C:SiO[1.5]) пленок толщиной 30-60 нм, полученных пиролизным отжигом олигометилсилсесквиоксана (СН[3]-SiO[1.5])[n] циклолинейной (лестничной) молекулярной структуры, в качестве промежуточных слоев для хлоридно-гидридной эпитаксии нитрида галлия на подложках поликристаллического CVD-алмаза. При пиролизном отжиге (СН[3]-Si[O1.5])[n] в атмосфере азота при 1060°C происходит карбонизация метильных радикалов с образованием химически связанных с кремнием атомов углерода, которые за счет ковалентной связи с кремнием образуют монослой (SiC) на поверхности a-C:SiO[1.5] пленок. Показан рост островков GaN на таком промежуточном слое на подложках СVD-полиалмаза в процессе хлоридно-гидридной эпитаксии в вертикальном реакторе из газовой смеси GaCl-NH[3]-N[2]. |
| Ключевые слова | карбидкремнийоксидные нанослои |
|
поликристаллические алмазы эпитаксия нитрид галлия высокочастотные полевые транзисторы транзисторы полупроводниковые приборы |
|
|
Донсков, А. А. Духновский, М. П. Князев, С. Н. Козлова, Ю. П. Югова, Т. Г. Белогорохов, И. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 4. - С. 563-566 |
| Имя макрообъекта | Аверичкин_создание |
| Тип документа | b |
