Поиск

Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования

Авторы: Яковлев, Г. Е. Фролов, Д. С. Зубкова, А. В. Левина, Е. Е. Зубков, В. И. Соломонов, А. В. Стерлядкин, О. К. Сорокин, С. А.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/670514952
Дата корректировки 16:30:06 31 марта 2021 г.
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Яковлев, Г. Е.
Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования
Электронный ресурс
Investigation of ion-implanted photosensitive silicon structures by means of electhochemical capacitance-voltage profiling
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 18 назв.
Аннотация Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы имплантированные бором кремниевые структуры для ПЗС-матриц с обратной засветкой. Исследовалась серия специально подготовленных структур с различными энергией и дозой имплантации, а также с покровными слоями из алюминия, оксида кремния и их комбинации. Экспериментально получены профили распределения основных носителей заряда по глубине исследуемых структур. Также с использованием уравнения Пуассона и уравнения Фредгольма первого рода проведен расчет распределения концентрации носителей заряда и напряженности электрического поля в структурах. На основе анализа и сопоставления теоретических и экспериментальных концентрационных профилей предложены рекомендации по оптимизации параметров структур для увеличения значения тянущего поля и уменьшения влияния поверхностного потенциала на транспорт носителей заряда.
Ключевые слова электрохимическое вольт-фарадное профилирование
кремниевые структуры
алюминий
оксид кремния
фотонно-чувствительные приборы
электронно-чувствительные приборы
эпитаксиальные слои
ионное легирование
электролиты
ионная имплантация
полупроводниковые приборы
Фролов, Д. С.
Зубкова, А. В.
Левина, Е. Е.
Зубков, В. И.
Соломонов, А. В.
Стерлядкин, О. К.
Сорокин, С. А.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 3. - С. 324-330
Имя макрообъекта Яковлев_исследование
Тип документа b