| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | zhps20_to87_no6_ss941_ad1 |
| Дата корректировки | 13:01:45 30 марта 2021 г. |
| Кодируемые данные | 210322s2020||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-zhps20_to87_no6_ss941_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК |
535.33 539.2 |
| Индекс ББК |
22.344 22.37 |
|
Таблицы для массовых библиотек Таблицы для массовых библиотек |
|
|
Бринкевич, С. Д. 070 |
|
|
Спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста С. Д. Бринкевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович [и др.] |
|
| Текст | |
| непосредственный | |
| Библиография | Библиогр.: с. 948 (19 назв. ) |
| Аннотация | Методом ИК-Фурье-спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы радиационно-индуцированные эффекты в тонких пленках диазохинон-новолачных фоторезистов на кремнии, облученных высокоэнергетическими ~5 МэВ электронами. Установлено, что облучение электронами дозой >3 * 10{15} см{-2} приводит к снижению интегрального поглощения в диапазоне волновых чисел 3700-400 см{-1}. При электронном облучении наиболее сильно снижается интенсивность полос, обусловленных колебаниями -О-Н- и особенно алифатических -С-Н-связей. При дозе Ф = 1 * 10{17} см-2 интенсивность полос, связанных с метиленовыми (-СН[2-]) и метильными (-СН[3]) группами, сравнима с уровнем шума. Интенсивность полосы ~1600 см{-1}, обусловленной валентными колебаниями ароматического кольца, не изменяется в диапазоне доз облучения 3 * 10{14} - 1 * 10{17} см{-2}. Полученные экспериментальные данные указывают на интенсивную сшивку полимерных компонент фоторезистов при облучении электронами. Установлено, что радиационно-индуцированные изменения спектров НПВО зависят от типа фоторезистов (ФП9120 и S1813 G2 SP15). Экспериментальные закономерности изменения оптических характеристик тонких пленок фоторезистов, облученных электронами, объяснены с учетом особенностей радиационной химии диазохинон-новолачных смол. |
|
Физика AR-MARS Спектроскопия AR-MARS Физика твердого тела. Кристаллография в целом AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
диазохинон-новолачный фоторезист кремний спектр нарушенного полного внутреннего отражения тонкие пленки фоторезистов электроны |
|
Бринкевич, Д. И. 070 Просолович, В. С. 070 Ластовский, С. Б. 070 Петлицкий, А. Н. 070 |
|
| ISSN | 0514-7506 |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 87, № 6. - С. 941-948 |
|
RU 43013090 20210322 RCR |
|
|
RU 43013090 20210322 |
|
|
RU AR-MARS 20210322 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20210322 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
zhps 2020 87 6 941 1 |
|
| 718 |
