| Индекс УДК |
535.33 539.2 |
|
Спектры нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста С. Д. Бринкевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович [и др.] |
|
| Аннотация | Методом ИК-Фурье-спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы радиационно-индуцированные эффекты в тонких пленках диазохинон-новолачных фоторезистов на кремнии, облученных высокоэнергетическими ~5 МэВ электронами. Установлено, что облучение электронами дозой >3 * 10{15} см{-2} приводит к снижению интегрального поглощения в диапазоне волновых чисел 3700-400 см{-1}. При электронном облучении наиболее сильно снижается интенсивность полос, обусловленных колебаниями -О-Н- и особенно алифатических -С-Н-связей. При дозе Ф = 1 * 10{17} см-2 интенсивность полос, связанных с метиленовыми (-СН[2-]) и метильными (-СН[3]) группами, сравнима с уровнем шума. Интенсивность полосы ~1600 см{-1}, обусловленной валентными колебаниями ароматического кольца, не изменяется в диапазоне доз облучения 3 * 10{14} - 1 * 10{17} см{-2}. Полученные экспериментальные данные указывают на интенсивную сшивку полимерных компонент фоторезистов при облучении электронами. Установлено, что радиационно-индуцированные изменения спектров НПВО зависят от типа фоторезистов (ФП9120 и S1813 G2 SP15). Экспериментальные закономерности изменения оптических характеристик тонких пленок фоторезистов, облученных электронами, объяснены с учетом особенностей радиационной химии диазохинон-новолачных смол. |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 87, № 6. - С. 941-948 |
