Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/670419416 |
Дата корректировки | 12:08:36 30 марта 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Войтик |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 539.21 |
Бойков, Ю. А. | |
Отклик емкости и диэлектрических потерь пленочной гетероструктуры SrRuO[3]/SrTiO[3]/SrRuO[3] на изменение температуры и электрическое поле Электронный ресурс |
|
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
Аннотация | Методом лазерного испарения выращены трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры, в которых слой из титаната стронция, толщиной в 750 nm, помещен между двух проводящих пленочных электродов из рутената стронция. Фотолитография и ионное травление использованы для формирования на базе выращенных гетероструктур плоско параллельных конденсаторов, емкость и тангенс угла диэлектрических потерь (tan дельта) которых были измерены в интервале температуры T = 4.2-300 K, при подаче напряжения смещения до ±2.5V и без него. При T > 100 K температурная зависимость диэлектрической проницаемости (эпсилон) слоя SrTiO[3] хорошо апроксимировалась соотношением Кюри-Вейсса с учетом емкости, индуцированной проникновением электрического поля в оксидные электроды. При T~20 K, эпсилон промежуточного слоя SrTiO[3] уменьшалась примерно на 20% в электрическом поле 25 kV/cm. tan дельта пленочных емкостных гетероструктур монотонно уменьшался с температурой в интервале 300-80 K и практически не зависел от напряженности электрического поля. Однако в интервале 80-4.2K наблюдалось резкое, не монотонное увеличение диэлектрических потерь с понижением температуры и их существенное уменьшение в электрическом поле. |
Ключевые слова | гетероструктуры |
эпитаксиальные гетероструктуры пленочные гетероструктуры рутенат стронция титанат стронция диэлектрические потери |
|
Другие авторы | Данилов, В. А. |
Название источника | Физика твердого тела |
Место и дата издания | 2016 |
Прочая информация | Т. 58, вып. 10. - С. 2050-2053 |
Имя макрообъекта | Бойков_отклик |
Тип документа | b |