| Индекс УДК | 539.21 |
|
Отклик емкости и диэлектрических потерь пленочной гетероструктуры SrRuO[3]/SrTiO[3]/SrRuO[3] на изменение температуры и электрическое поле Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом лазерного испарения выращены трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры, в которых слой из титаната стронция, толщиной в 750 nm, помещен между двух проводящих пленочных электродов из рутената стронция. Фотолитография и ионное травление использованы для формирования на базе выращенных гетероструктур плоско параллельных конденсаторов, емкость и тангенс угла диэлектрических потерь (tan дельта) которых были измерены в интервале температуры T = 4.2-300 K, при подаче напряжения смещения до ±2.5V и без него. При T > 100 K температурная зависимость диэлектрической проницаемости (эпсилон) слоя SrTiO[3] хорошо апроксимировалась соотношением Кюри-Вейсса с учетом емкости, индуцированной проникновением электрического поля в оксидные электроды. При T~20 K, эпсилон промежуточного слоя SrTiO[3] уменьшалась примерно на 20% в электрическом поле 25 kV/cm. tan дельта пленочных емкостных гетероструктур монотонно уменьшался с температурой в интервале 300-80 K и практически не зависел от напряженности электрического поля. Однако в интервале 80-4.2K наблюдалось резкое, не монотонное увеличение диэлектрических потерь с понижением температуры и их существенное уменьшение в электрическом поле. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
| Другие авторы | Данилов, В. А. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 10. - С. 2050-2053 |
| Имя макрообъекта | Бойков_отклик |
