| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670327866 |
| Дата корректировки | 16:39:06 30 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Орлецкий, И. Г. | |
|
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/p-InSe Электронный ресурс |
|
| Electrical and photoelectrical properties of heterojunction TiN/p-InSe | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Исследованы условия изготовления фоточувствительных гетеропереходов TiN/p-InSe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок нитрида титана на свежесколотые монокристаллические пластины p-InSe. На основе анализа вольт-амперных характеристик установлено присутствие на гетеро- переходе туннельно-тонкого высокоомного слоя In[2]Se[3] и выяснено его влияние на электрические свойства и спектральные зависимости фоточувствительности исследованых гетероструктур. Определены основные механизмы формирования прямого и обратного токов сквозь энергетический баръер TiN/p-InSe. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
тонкие пленки нитрид титана монокристаллические пластины реактивное магнетронное напыление |
|
|
Илащук, М. И. Брус, В. В. Марьянчук, П. Д. Солован, М. М. Ковалюк, З. Д. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 3. - С. 339-343 |
| Имя макрообъекта | Орлецкий_электрические |
| Тип документа | b |
