| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/p-InSe Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы условия изготовления фоточувствительных гетеропереходов TiN/p-InSe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок нитрида титана на свежесколотые монокристаллические пластины p-InSe. На основе анализа вольт-амперных характеристик установлено присутствие на гетеро- переходе туннельно-тонкого высокоомного слоя In[2]Se[3] и выяснено его влияние на электрические свойства и спектральные зависимости фоточувствительности исследованых гетероструктур. Определены основные механизмы формирования прямого и обратного токов сквозь энергетический баръер TiN/p-InSe. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 3. - С. 339-343 |
| Имя макрообъекта | Орлецкий_электрические |
