Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/669896616 |
Дата корректировки | 12:53:22 1 декабря 2021 г. |
Служба первич. каталог. | Войтик |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 539.21 |
Алешин, А. Н. | |
Полевые транзисторные структуры на основе поли(3-гексилтиофена), производных фуллеренов [60]PCBM, [70]PCBM и наночастиц никеля Электронный ресурс |
|
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
Аннотация | Получены органические полевые транзисторные (ОПТ) структуры с активными слоями на основе композитных пленок полупроводникового полимера - поли(3-гексилтиофена) - P3HT, производных фуллеренов [60]PCBM и [70]PCBM, а также наночастиц никеля (Ni) и исследованы их оптические, электрические и фотоэлектрические свойства. Показано, что введение наночастиц Ni в пленки P3HT : [60]PCBM и P3HT : [70]PCBM приводит к росту поглощения и гашению фотолюминесценции композита в спектральном диапазоне 400-600 nm вследствие плазмонного эффекта. В ОПТ-структурах на основе P3HT : [60]PCBM:Ni и P3HT: [70]PCBM:Ni при концентрациях P3HT : [60]PCBM и P3HT : [70]PCBM ~ 1 : 1 и Ni ~ 3-5 wt.% наблюдаются вольт-амперные характеристики (ВАХ), характерные для амбиполярных ОПТ с преобладающей дырочной проводимостью. Рассчитанные из ВАХ значения подвижности носителей заряда - дырок - при V[G] = -10V составили ~ 0.46 cm{2}/Vs для P3HT : [60]PCBM:Ni и ~ 4.7 cm{2}/Vs для P3HT : [70]PCBM:Ni, что свидетельствует о возрастании подвижности при переходе в составе композитов от [60]PCBM к [70]PCBM. Исследован эффект воздействия света на ВАХ ОПТ на основе композитных пленок P3HT : [60]PCBM:Ni и P3HT: [70]PCBM:Ni. |
транзисторные структуры полевые транзисторные структуры гексилтиофены фуллерены наночастицы никеля |
|
Другие авторы | Щербаков, И. П. |
Трапезникова, И. Н. Петров, В. Н. |
|
Название источника | Физика твердого тела |
Место и дата издания | 2016 |
Прочая информация | Т. 58, вып. 9. - С. 1818-1825 |
Имя макрообъекта | Алешин_полевые |
Тип документа | b |