| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669826386 |
| Дата корректировки | 15:05:02 23 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.383:621.472 |
| Саченко, А. В. | |
|
Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Предложен подход к расчету оптимальных параметров гетеропереходных солнечных элементов на основе кремния, ключевой особенностью которых является низкая скорость рекомбинационных процессов по сравнению с прямозонными полупроводниками. Показано, что при сравнительно небольших концентрациях основных носителей заряда (N[d] ~ 10{15} см{-3}) концентрация избыточных носителей заряда может быть сравнимой или большей N[d]. |
| Костылёв, В. П. | |
| Ключевые слова | гетеропереходные фотоэлектрические преобразователи |
|
фотоэлектрические преобразователи кристаллический кремний кремниевые фотопреобразователи полупроводниковые структуры |
|
|
Крюченко, Ю. В. Костылев, В. П. Соколовский, И. О. Абрамов, А. С. Бобыль, А. В. Панайотти, И. Е. Теруков, Е. И. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 259-262 |
| Имя макрообъекта | Саченко_метод |
| Тип документа | b |
