| Индекс УДК | 621.383:621.472 |
|
Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Предложен подход к расчету оптимальных параметров гетеропереходных солнечных элементов на основе кремния, ключевой особенностью которых является низкая скорость рекомбинационных процессов по сравнению с прямозонными полупроводниками. Показано, что при сравнительно небольших концентрациях основных носителей заряда (N[d] ~ 10{15} см{-3}) концентрация избыточных носителей заряда может быть сравнимой или большей N[d]. |
| Ключевые слова | гетеропереходные фотоэлектрические преобразователи |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 259-262 |
| Имя макрообъекта | Саченко_метод |
