| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669727031 |
| Дата корректировки | 11:39:19 22 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.383.52 |
| Мынбаев, К. Д. | |
|
Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния Электронный ресурс |
|
| Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Проведено исследование дефектов в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути с мольной долей теллурида кадмия от 0.3 до 0.4, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из кремния. С использованием метода фотолюминесценции при низких температурах в запрещенной зоне выявлены относительно глубокие уровни с энергией залегания 50.60 мэВ и более мелкие уровни с энергией 20.30 мэВ. Исследование температурной зависимости времени жизни неосновных носителей заряда показало, что это время определялось присутствием уровней с энергией залегания около 30 мэВ. Обсуждается связь выявленных энергетических состояний с дефектами кристаллической структуры. |
|
кадмий ртуть кремний теллуриды гетероэпитаксиальные структуры молекулярно-лучевая эпитаксия фотодиоды фотоэлектроника |
|
|
Заблоцкий, С. В. Шиляев, А. В. Баженов, Н. Л. Якушев, М. В. Марин, Д. В. Варавин, В. С. Дворецкий, С. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 208-211 |
| Имя макрообъекта | Мынбаев_дефекты |
| Тип документа | b |
