| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669724009 |
| Дата корректировки | 10:41:25 22 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Лобанов, Д. Н. | |
|
Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп Электронный ресурс |
|
| Features of InN growth by plasma-assisted MBE at different ratio of III to V group element flows | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследований влияния соотношения потоков элементов III и V групп на структурные и оптические свойства формируемой методом МПЭ ПА пленки InN. Было показано, что при соотношении потоков III/V < 0.6 слой InN состоит из отдельно стоящих наноколонн. В диапазоне соотношений 0.6 < III/V < 0.9 рост InN становится двумерным, однако слой InN обладает нанопористой структурой. При переходе к металлобогащенным условиям роста (III/V ~ 1.1) слой InN становится сплошным. Переход от трехмерного роста к двумерному сопровождается увеличением плотности прорастающих дислокаций. Это приводит к снижению интенсивности сигнала фотолюминесценции InN при комнатной температуре. Концентрация электронов в слоях InN составила ~ 5 · 10{18} см{-3}, что приводит к сдвигу максимума сигнала ФЛ в область длин волн 1.73-1.8 мкм и сдвигу края поглощения в область ~ 1.65 мкм. |
|
индий азот плазменная активация азота дислокации фотолюминесценция спектроскопия пропускания света люминесценция полупроводники |
|
|
Новиков, А. В. Андреев, Б. А. Бушуйкин, П. А. Юнин, П. А. Скороходов, Е. В. Красильникова, Л. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 264-268 |
| Имя макрообъекта | Лобанов_особенности |
| Тип документа | b |
