| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669400065 |
| Дата корректировки | 17:14:18 19 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592.9 |
| Мынбаева, М. Г. | |
|
Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния Электронный ресурс |
|
| Formation of "graphite/SiC" structures via thermal destruction of silicon carbide | |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Изучены условия синтеза углеродных покрытий на поверхности пластин карбида кремния (SiC), получаемых методом термического разложения. Исследовано влияние температуры и состава атмосферы отжига образцов на характер структурных свойств получаемых слоев. В результате определены условия, при которых могут быть получены сплошные пленки графита как с поликристаллической, так и с монокристаллической структурой. |
| Ключевые слова | карбид кремния |
|
графит пленки графита углеродные пленки термодеструкция поверхности пластин метод термического разложения |
|
|
Лаврентьев, А. А. Мынбаев, К. Д. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 1. - С. 138-142 |
|
| Имя макрообъекта | Мынбаева_формирование |
| Тип документа | b |
