| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669311575 |
| Дата корректировки | 15:55:48 17 марта 2021 г. |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592:539.2 |
| Макеев, М. О. | |
|
Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии Электронный ресурс |
|
| Assessment of resistance of AlAs/GaAs nanoscale heterostructures of resonant-tunneling diodes to diffusion destruction by means of IR-spectroscopic ellipsometry | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 37 назв. |
| Аннотация | Разработана методика оценки качества наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур с точки зрения их стойкости к диффузионной деструкции. Методом ИК-спектральной эллипсометрии выявлено диффузионное размытие слоев AlAs/GaAs гетероструктуры и определены коэффициенты диффузии Al и Si в GaAs. |
|
диффузионная деструкция резонансно-туннельные гетероструктуры гетероструктуры ИК-спектральная эллипсометрия ИК-спектрофотометрия диффузионная деструкция алюминий арсенид галлия арсенидгаллиевые структуры резонансно-туннельные диоды кинетика диффузионных процессов |
|
|
Иванов, Ю. А. Мешков, С. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 1. - С. 83-88 |
|
| Имя макрообъекта | Макеев_оценка |
| Тип документа | b |
