| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669293214 |
| Дата корректировки | 11:16:12 17 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.5.001:53 |
| Козловский, В. И. | |
|
Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 36 назв. |
| Аннотация | Предложена технология создания полностью гибридных микрорезонаторов на основе пленок Zn(S)Se и аморфных диэлектрических покрытий SiO[2]/Ta[2]O[5]. Продемонстрировано влияние всех ступеней техно- логического цикла на структуру экситонных состояний в пленках Zn(S)Se. Данное влияние сводится к четырем основным эффектам: появление тонкой структуры у линий излучения свободных экситонов; уменьшение относительного вклада в спектр излучения экситонов, связанных на нейтральных акцепторах; низкочастотный сдвиг линий излучения экситонно-примесных комплексов и свободных экситонов; умень- шение расщепления между линиями излучения легких и тяжелых экситонов. Созданы образцы полностью гибридных микрорезонаторов, в которых удается сохранить высокое структурное и оптическое качество пленок Zn(S)Se. |
| Ключевые слова | экситонное излучение |
|
тонкие кристаллические пленки микрорезонаторы аморфные диэлектрические покрытия гибридные микрорезонаторы экситоны экситонно-примесные комплексы |
|
|
Кривобок, В. С. Кузнецовoв, П. И. Николаев, С. Н. Онищенко, Е. Е. Пручкина, А. А. Тимирязев, А. Г. Ченцов, С. И. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 1. - С. 9-16 |
| Имя макрообъекта | Козловский_экситонное |
| Тип документа | b |
