-
Примесно-дефектное излучение нелегированных монокристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te вблизи края собственного поглощения
Кривобок, В. С., Денисов, И. А., Можевитина, Е. Н., Николаев, С. Н., Онищенко, Е. Е., Пручкина, А. А., Силина, А. А., Смирнова, Н. А., Чернопицский, М. А., Шматов, Н. И.
Примесно-дефектное излучение нелегированных монокристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te вблизи края собственного поглощения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 5. - С. 950-960 .-
Кривобок_примесно-дефектное
-
Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий
Козловский, В. И., Кривобок, В. С., Кузнецовoв, П. И., Николаев, С. Н., Онищенко, Е. Е., Пручкина, А. А., Тимирязев, А. Г., Ченцов, С. И.
Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 1. - С. 9-16 .-
Козловский_экситонное
-
Излучательные d - d-переходы на центрах вольфрама в полупроводниках А{II}В{VI}
Ушаков, В. В., Кривобок, В. С., Пручкина, А. А.
Излучательные d - d-переходы на центрах вольфрама в полупроводниках А{II}В{VI}, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 335-338
Ушаков_излучательные
