Поиск

Излучательные d - d-переходы на центрах вольфрама в полупроводниках А{II}В{VI}

Авторы: Ушаков, В. В. Кривобок, В. С. Пручкина, А. А.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Излучательные d - d-переходы на центрах вольфрама в полупроводниках А{II}В{VI}
Электронный ресурс
Аннотация Исследованы спектры люминесценции примесных центров W в полупроводниках А{II}В{VI} ZnSe, CdS и CdSe. Обнаружено, что при переходе от электронной системы 3d-центров (Cr) к системе 5d-центров (W) происходит существенное изменение спектральных характеристик примесного излучения. Идентификация электронных переходов проведена по диаграммам Танабе-Сугано теории кристаллического поля. С учетом особенностей спектров установлено, что излучательные переходы на 5d-центрах W в исследованных кристаллах происходят в области слабого кристаллического поля между уровнями с различными значениями спина.
Ключевые слова вольфрам
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 3. - С. 335-338
Имя макрообъекта Ушаков_излучательные