| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669229145 |
| Дата корректировки | 11:17:12 17 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.383.8 |
| Емельянов, В. М. | |
|
Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP Электронный ресурс |
|
| Simulation of characteristics of InGaAs/InP laser beam photoconverters | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Методом математического моделирования проведен анализ достижимых значений эффективности фотоэлектрического преобразования лазерного излучения с длиной волны 1.3 и 1.55 мкм в гетероструктурах In0.53Ga0.47As/InP с вводом излучения со стороны подложки n-InP. Исследовано влияние параметров гетероструктуры In0.53Ga0.47As/InP и конструкции фотопреобразователя лазерного излучения на кпд. Проведено сравнение характеристик промоделированных фотопроизводителей In0.53Ga0.47As/InP и фотопреобразовате лей на основе GaAs для длины волны 809 нм. Показано, что при мощностях излучения 2.6 Вт достижимы значения кпд 40% для длины волны 1.3 мкм и близкие к 50% для длины волны 1.55 мкм, однако при больших мощностях кпд заметно снижается. Установлено, что основным фактором, препятствующим достижению высокой эффективности преобразования излучения большой мощности, являются потери в подложке n-InP. Оценен оптимальный уровень легирования подложек n-InP для фотопреобразоватей лазерного излучения различной мощности. |
|
фотопреобразователи лазерного излучения лазерное излучение математическое моделирование фотоэлектрическое преобразование легирование подложек структуры фотопреобразователей |
|
|
Сорокина, С. В. Хвостиков, В. П. Шварц, М. З. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 1. - С. 132-137 |
|
| Имя макрообъекта | Емельянов_моделирование характеристик |
| Тип документа | b |
