| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/667920967 |
| Дата корректировки | 12:28:01 7 октября 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Варавин, В. С. | |
|
Электрофизические свойства пленок Cd[x]Hg[1-x]Te (x = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013) Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Исследованы электрофизические свойства нелегированных и легированных индием в процессе роста пленок Cd[x]Hg[1-x]Te с x приблизительно равным 0.3. После выращивания пленки подвергались температурным обработкам в парах ртути. Магнетополевые зависимости эффекта Холла в диапазоне магнитных полей 0.05-1.0 T при 77 K объясняются наличием в пленках двух типов электронов: с высокой и низкой подвижностями. Температурные зависимости времени жизни неосновных носителей в интервале 77-300 K указывают на присутствие в пленках после роста ловушек двух типов, имеющих разное энергетическое положение. Отжиг при насыщенном давлении паров ртути увеличивает время жизни за счет подавления рекомбинационных центров, которые могут быть связаны с ростовыми дефектами в гетероструктурах Cd[x]Hg[1-x] Te/CdTe/Si. |
|
полупроводниковые материалы гетероструктуры кадмий-ртуть-теллур пленки легирование индием электрофизические свойства рост пленок молекулярно-лучевая эпитаксия |
|
| Другие авторы | Марин, Д. В. |
| Якушев, М. В. | |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 4. - С. 625-629 |
| Имя макрообъекта | Варавин_электрофизические |
| Тип документа | b |
