| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | zneo21_to66_no2_ss291_ad1 |
| Дата корректировки | 9:21:18 26 февраля 2021 г. |
| Кодируемые данные | 210212s2021||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-zneo21_to66_no2_ss291_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека Вятского государственного университета МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК |
544 543.2 |
| Индекс ББК |
24.5 24.43 |
|
Таблицы для массовых библиотек Таблицы для массовых библиотек |
|
|
Козюхин, С. А. Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН 070 |
|
|
Химическое модифицирование материалов фазовой памяти на основе сложных халькогенидов С. А. Козюхин |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | рис. |
| Текст | |
| электронный | |
| Библиография | Библиогр.: с. 297 (36 назв.) |
| Аннотация | Рассмотрено применение методов химической модификации для аморфных тонких пленок материалов фазовой памяти на примере халькогенидного соединения Ge[2]Sb[2]Te[5] для управления функциональными характеристиками данных материалов. |
|
Химия AR-MARS Физическая химия в целом AR-MARS Химические методы анализа AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
халькогениды тонкие пленки химическое модифицирование кристаллизация легирование фазовая память |
| ISSN | 0044-457X |
| Название источника | Журнал неорганической химии |
| Место и дата издания | 2021 |
| Прочая информация | Т. 66, № 2. - С. 291-297 |
|
RU 61013501 20210212 RCR |
|
|
RU 61013501 20210212 |
|
|
RU AR-MARS 20210212 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20210212 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
zneo 2021 66 2 291 1 |
|
| 12802 | |
| Неорганические материалы и наноматериалы | |
| электронный ресурс удаленного доступа | |
| ua | |
