| Индекс УДК |
544 543.2 |
|
Химическое модифицирование материалов фазовой памяти на основе сложных халькогенидов С. А. Козюхин |
|
| Аннотация | Рассмотрено применение методов химической модификации для аморфных тонких пленок материалов фазовой памяти на примере халькогенидного соединения Ge[2]Sb[2]Te[5] для управления функциональными характеристиками данных материалов. |
| Название источника | Журнал неорганической химии |
| Место и дата издания | 2021 |
| Прочая информация | Т. 66, № 2. - С. 291-297 |
