| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/666874098 |
| Дата корректировки | 15:23:27 10 декабря 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.216.2:537.226.4 |
| Голосов, Д. А. | |
|
Сегнетоэлектрические свойства пленок легированного ниобием танталата стронция-висмута Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Исследованы характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок танталата стронция-висмута (SBT) и легированного ниобием танталата стронция-висмута (SBTN), нанесенных методом высокочастотного магнетронного распыления на подложки Pt/TiO[2]/SiO[2]/Si. Для формирования структуры сегнетоэлектрика нанесенные пленки подвергались последующему отжигу при температуре 970-1070 K в атмосфере O[2]. Результаты рентгеновской дифракции показали, что в отличие от пленок SBT, у которых формирование фазы Ауривиллиуса наблюдается только при температуре отжига 1050-1070 K, в пленках SBTN формирование фазы отмечено уже при температуре 970 K. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, остаточной поляризации, коэрцитивной силы пленок SBT и SBTN от режимов последующего отжига. Обнаружено, что легирование ниобием пленок SBT позволяет практически в 3 раза увеличить остаточную поляризацию, примерно на 50 K увеличить температуру Кюри и повысить диэлектрическую проницаемость. Во тличие от пленок SBT в случае пленок SBTN поляризация наблюдается уже при температуре отжига порядка 970 K. Замена пленок SBT на SBTN при изготовлении конденсаторных модулей высокоплотной сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти с произвольным доступом (FeRAM) позволяет понизить температуру синтеза с 1070 до 990-1000 K, что повышает совместимость с планарной технологией полупроводниковых приборов. Однако увеличение коэрцитивного поля делает легированные ниобием пленки SBT менее привлекательными для применения в FeRAM. |
|
пленки тонкие пленки танталат стронция висмута легирование ниобием фазы Ауривиллиуса сегнетоэлектрические свойства |
|
| Другие авторы | Завадский, С. М. |
|
Колос, В. В. Турцевич, А. С. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 1. - С. 51-55 |
| Имя макрообъекта | Голосов_сегнетоэлектрические |
| Тип документа | b |
