| Индекс УДК | 544.6 |
|
Features of SiO[2] reactive-ion etching kinetics in CF[4]+ Ar + O[2] and C[4]F[8] + Ar + O[2] gas mixtures A. M. Efremov, A. M. Sobolev, Kwang-Ho Kwon |
|
| Аннотация | Проведено исследование влияния соотношения Ar/O[2] на характеристики газовой фазы и кинетику травления SiO[2] в плазме смесей CF[4] + Ar + O[2] и C[4]F[8] + Ar + O[2] в условиях индукционного ВЧ 13, 56 МГц разряда. Показано, что обе газовые системы характеризуются близкими параметрами электронной и ионной компонент плазмы, но существенно различаются по кинетике нейтральных частиц, особенно в присутствии O[2]. |
| Название источника | Известия вузов. Химия и химическая технология |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 63, вып. 9. - С. 21-27 |
