| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | elch19_to55_no5_ss568_ad1 |
| Дата корректировки | 15:00:11 30 сентября 2020 г. |
| Кодируемые данные | 200914s2019||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-elch19_to55_no5_ss568_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научно-техническая библиотека Национального технического университета «Харьковский политехнический институт» МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 544.6 |
| Индекс ББК | 24.57 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Ван, Ж. 070 |
|
|
Приготовление тонких пленок CuSCN и влияние потенциала электроосаждения на их фотоэлектрохимическое поведение Ж. Ван, Д. Чен, Ф. Ван [и др.] |
|
| Текст | |
| непосредственный | |
| Аннотация | Тонкие пленки наностержней CuSCN p-типа успешно приготовлены на проводящей подложке из допированного фтором оксида олова простым электрохимическим осаждением при различных потенциалах (–0. 1, –0. 2, –0. 3, –0. 4 В). Исследовано влияние потенциала осаждения на микроструктуру и фотоэлектрохимические свойства приготовленных пленок CuSCN. Приготовленные пленки – это регулярные ансамбли наностержней с ромбоэдрической кристаллической структурой бета–CuSCN. Лучшая кристаллическая структура – у пленок CuSCN, осажденных при потенциале –0. 4 В. Эти электроосажденные тонкие пленки CuSCN полупроводник p-типа, что доказано графиками Мотта–Шоттки. Тонкие пленки наностержней CuSCN, осажденные при –0. 2, –0. 3 и –0. 4 В, дают плотность фототока в 10 раз больше, чем пленка, осажденная при –0. 1 В. Самая лучшая фотоэлектрохимическая эффективность наблюдалась у пленки, осажденной при –0. 4 В. Эту повышенную фотоэлектрохимическую эффективность тонкой пленки CuSCN, осажденной при –0. 4 В, можно отнести за счет ее лучшей кристаллической структуры, большей концентрации носителей заряда и их более эффективного разделения и миграции. В настоящей работе описан легкий способ приготовления тонких пленок CuSCN-наностержней p-типа с помощью электрохимического осаждения и управления их фотоэлектрохимическим поведением путем выбора потенциала осаждения. |
|
Химия AR-MARS Электрохимия AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
фотоэлектрохимическое поведение электрохимическое осаждение тонкие пленки |
|
Чен, Д. 070 Ван, Ф. 070 Кин, Л. 070 Бай, Л. 070 Сун, Ш. 070 Хуан, Ю. 070 |
|
| ISSN | 0424-8570 |
| Название источника | Электрохимия |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 55, № 5. - С. 568-573 |
|
RU 31013554 20200914 RCR |
|
|
RU 31013554 20200914 |
|
|
RU AR-MARS 20200921 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20200921 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
elch 2019 55 5 568 1 |
|
| 15191 |
