| Индекс УДК | 544.6 |
|
Приготовление тонких пленок CuSCN и влияние потенциала электроосаждения на их фотоэлектрохимическое поведение Ж. Ван, Д. Чен, Ф. Ван [и др.] |
|
| Аннотация | Тонкие пленки наностержней CuSCN p-типа успешно приготовлены на проводящей подложке из допированного фтором оксида олова простым электрохимическим осаждением при различных потенциалах (–0. 1, –0. 2, –0. 3, –0. 4 В). Исследовано влияние потенциала осаждения на микроструктуру и фотоэлектрохимические свойства приготовленных пленок CuSCN. Приготовленные пленки – это регулярные ансамбли наностержней с ромбоэдрической кристаллической структурой бета–CuSCN. Лучшая кристаллическая структура – у пленок CuSCN, осажденных при потенциале –0. 4 В. Эти электроосажденные тонкие пленки CuSCN полупроводник p-типа, что доказано графиками Мотта–Шоттки. Тонкие пленки наностержней CuSCN, осажденные при –0. 2, –0. 3 и –0. 4 В, дают плотность фототока в 10 раз больше, чем пленка, осажденная при –0. 1 В. Самая лучшая фотоэлектрохимическая эффективность наблюдалась у пленки, осажденной при –0. 4 В. Эту повышенную фотоэлектрохимическую эффективность тонкой пленки CuSCN, осажденной при –0. 4 В, можно отнести за счет ее лучшей кристаллической структуры, большей концентрации носителей заряда и их более эффективного разделения и миграции. В настоящей работе описан легкий способ приготовления тонких пленок CuSCN-наностержней p-типа с помощью электрохимического осаждения и управления их фотоэлектрохимическим поведением путем выбора потенциала осаждения. |
| Название источника | Электрохимия |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 55, № 5. - С. 568-573 |
