Поиск

Миграция электронов по трехзарядным дефектам кристаллической матрицы

Авторы: Поклонский, Н. А. Деревяго, А. Н. Вырко, С. А. Ковалев, А. И.
Краткая информация
Маркер записи n 22 4500
Контрольный номер BY/FL BSU/STAT/abb7fb6a30884e2484e1c647d5fbf3b8
Дата корректировки 13:55:45 28 августа 2020 г.
Кодируемые данные 200615s2020||||by |||||||||||||||||rus||
Служба первич. каталог. Фундаментальная библиотека Белорусского государственного университета
БелАР
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
070
Поклонский, Н. А.
доктор физико-математических наук
Николай Александрович
Белорусский государственный университет
Миграция электронов по трехзарядным дефектам кристаллической матрицы
Н. А. Поклонский, А. Н. Деревяго, С. А. Вырко, А. И. Ковалев
Дата издания оригинала 2020
Текст
непосредственный
Библиография Библиогр.: с. 52 (15 назв.)
Аннотация Аналитическое описание прыжкового переноса электронов в полупроводнике.
Математика
Дифференциальные и интегральные уравнения
Физика
Классическая электродинамика. Теория относительности
Ключевые слова полупроводниковые материалы
полупроводники
зарядовые состояния
радиационные дефекты
кристаллические матрицы
электроны
070
Деревяго, А. Н.
Александр Николаевич
Белорусский государственный университет
070
Вырко, С. А.
Сергей Александрович
Белорусский государственный университет
070
Ковалев, А. И.
Александр Игоревич
Белорусский государственный университет
BY/FL BSU/STAT/Spiridonova/0bd91f2ed8344e918682374b2e392add
Журнал Белорусского государственного университета. Физика
2020
№ 1. - С. 41-53
2520-2243
RU
863
http://elib.bsu.by/handle/123456789/242163
Тип документа b
Физика конденсированного состояния