Маркер записи | n 22 4500 |
Контрольный номер | BY/FL BSU/STAT/abb7fb6a30884e2484e1c647d5fbf3b8 |
Дата корректировки | 13:55:45 28 августа 2020 г. |
Кодируемые данные | 200615s2020||||by |||||||||||||||||rus|| |
Служба первич. каталог. |
Фундаментальная библиотека Белорусского государственного университета БелАР |
Код языка каталог. | rus |
Код языка издания |
rus rus |
070 Поклонский, Н. А. доктор физико-математических наук Николай Александрович Белорусский государственный университет |
|
Миграция электронов по трехзарядным дефектам кристаллической матрицы Н. А. Поклонский, А. Н. Деревяго, С. А. Вырко, А. И. Ковалев |
|
Дата издания оригинала | 2020 |
Текст | |
непосредственный | |
Библиография | Библиогр.: с. 52 (15 назв.) |
Аннотация | Аналитическое описание прыжкового переноса электронов в полупроводнике. |
Математика Дифференциальные и интегральные уравнения Физика Классическая электродинамика. Теория относительности |
|
Ключевые слова |
полупроводниковые материалы полупроводники зарядовые состояния радиационные дефекты кристаллические матрицы электроны |
070 Деревяго, А. Н. Александр Николаевич Белорусский государственный университет 070 Вырко, С. А. Сергей Александрович Белорусский государственный университет 070 Ковалев, А. И. Александр Игоревич Белорусский государственный университет |
|
BY/FL BSU/STAT/Spiridonova/0bd91f2ed8344e918682374b2e392add Журнал Белорусского государственного университета. Физика 2020 № 1. - С. 41-53 2520-2243 |
|
RU | |
863 | |
http://elib.bsu.by/handle/123456789/242163 |
|
Тип документа | b |
Физика конденсированного состояния |