| Индекс УДК | 544 |
|
On mechanisms of oxygen influence on gas-phase parameters and silicon reactive-ion etching kinetics in HBr+Cl[2]+O[2] plasma [Текст] A. M. Efremov [и др.] |
|
| Аннотация | Проведено исследование влияния соотношений компонентов HBr/O[2] и Cl[2]/O[2] в плазмообразующей смеси HBr + Cl[2] + O[2] на параметры плазмы, стационарные концентрации активных частиц и кинетику травления Si в условиях, характерных для процессов реактивно-ионного травления: давление плазмообразующего газа (p = 10 мтор), вкладываемая мощность (W = 500 Вт) и мощность смещения (Wdc = 200 Вт). |
| Название источника | Известия вузов. Химия и химическая технология |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 62, вып. 10. - С. 76-83 |
