Поиск

Влияние кристаллической структуры и примесей 3d-элементов на электронное строение топологического материала Cd[3]As[2]

Авторы: Щелкачев, Н. М. Яржемский, В. Г.
Краткая информация
Маркер записи n 22 3 4500
Контрольный номер noma18_to54_no11_ss1157_ad1
Дата корректировки 9:43:56 28 декабря 2019 г.
Кодируемые данные 191207s2018||||RU|||||||||||#||||# rus0|
Системный контрольный номер RUMARS-noma18_to54_no11_ss1157_ad1
AR-MARS
Служба первич. каталог. Научная библиотека Дагестанского государственного университета
МАРС
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
Индекс УДК 539.2
Индекс ББК 22.37
Таблицы для массовых библиотек
Щелкачев, Н. М.
z01710
070
Влияние кристаллической структуры и примесей 3d-элементов на электронное строение топологического материала Cd[3]As[2]
[Текст]
Н. М. Щелкачев, В. Г. Яржемский
Иллюстрации/ тип воспроизводства 9 рис.
Библиография Библиогр.: с. 1161-1162 (31 назв. )
Аннотация Теоретически исследовано влияние кристаллической структуры и замещения Cd на Mn и Co на электронное строение топологического материала Cd[3]As[2]. Проведены расчеты методом функционала электронной плотности зонной структуры и плотностей состояний Cd[3]As[2] тетрагональной и кубической симметрий, а также кристаллов Cd[3 - x]Mn[х]As[2] и Cd[3 - x]Co[х]As[2]. Установлено, что зонная структура кубической фазы Cd[3]As[2] существенно отличается от зонной структуры дираковского полуметалла, характерной для тетрагональной фазы. Установлено также, что при замещении 1/24 части атомов Cd на атомы Co структура плотностей состояний d-электронов подобна структуре плотностей состояний в магнитном полупроводнике Ga[1 - x]Mn[x]As c характерным минимумом при энергии Ферми. В то же время при аналогичном замещении Cd на Mn плотность состояний d-электронов не имеет такого характерного минимума.
Физика
AR-MARS
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
AR-MARS
Ключевые слова топологические материалы
дираковские полуметаллы
магнитные полупроводники
теория функционала плотности
зонная структура
плотности состояний
кристаллическая структура
примеси
3d-элементы
электронное строение
Яржемский, В. Г.
070
z02710
Российская академия наук
Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау
z01100
Вторичная ответственность
Российская академия наук
Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина
z01100
Вторичная ответственность
Московский физико-технический институт
z01100
Вторичная ответственность
Московский физико-технический институт
z02700
Вторичная ответственность
Российская академия наук
Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова
z02700
Вторичная ответственность
ISSN 0002-337X
Название источника Неорганические материалы
Место и дата издания 2018
Прочая информация Т. 54, № 11. - С. 1157-1162
RU
36713090
20191207
RCR
RU
36713090
20191207
RU
AR-MARS
20191207
RCR
RU
AR-MARS
20191207
Тип документа b
code
year
to
no
ss
ad
noma
2018
54
11
1157
1
13607