| Индекс УДК | 539.2 |
|
Влияние кристаллической структуры и примесей 3d-элементов на электронное строение топологического материала Cd[3]As[2] [Текст] Н. М. Щелкачев, В. Г. Яржемский |
|
| Аннотация | Теоретически исследовано влияние кристаллической структуры и замещения Cd на Mn и Co на электронное строение топологического материала Cd[3]As[2]. Проведены расчеты методом функционала электронной плотности зонной структуры и плотностей состояний Cd[3]As[2] тетрагональной и кубической симметрий, а также кристаллов Cd[3 - x]Mn[х]As[2] и Cd[3 - x]Co[х]As[2]. Установлено, что зонная структура кубической фазы Cd[3]As[2] существенно отличается от зонной структуры дираковского полуметалла, характерной для тетрагональной фазы. Установлено также, что при замещении 1/24 части атомов Cd на атомы Co структура плотностей состояний d-электронов подобна структуре плотностей состояний в магнитном полупроводнике Ga[1 - x]Mn[x]As c характерным минимумом при энергии Ферми. В то же время при аналогичном замещении Cd на Mn плотность состояний d-электронов не имеет такого характерного минимума. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 54, № 11. - С. 1157-1162 |
