| Индекс УДК | 546 |
|
Синтез диэлектрических пленок термооксидированием MnO[2]/GaAs [Текст] И. Я. Миттова [и др.] |
|
| Аннотация | Показано, что магнетронно нанесенные на поверхность монокристаллических пластин GaAs наноразмерные (~29 нм) слои MnO[2] обусловливают транзитный механизм термооксидирования полупроводника. Установлено, что присутствие MnO[2] ускоряет рост пленок в 3-9 раз по толщине по сравнению с собственным оксидированием GaAs. Сформированные пленки с толщиной, варьируемой в диапазоне 35-200 нм, обладают диэлектрическими свойствами (удельное сопротивление порядка 1010 Ом см, электрическая прочность (5-8) · 10{6} В/см). Согласно данным рентгенофазового анализа, пленки обогащены мышьяком в окисленной форме и имеют регулярную зеренную структуру поверхности с высотой рельефа, не превышающей 30 нм (по данным атомно-силовой микроскопии). |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 54, № 11. - С. 1149-1156 |
