| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | nani18_no7/8_ss488_ad1 |
| Дата корректировки | 10:58:22 26 декабря 2018 г. |
| Кодируемые данные | 181206s2018||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-nani18_no7/8_ss488_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Тверская областная универсальная научная библиотека им. А. М. Горького МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus eng |
| Индекс УДК | 621.382 |
| Индекс ББК | 32.852 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Афанасьев, А. В. 070 |
|
|
Газофазная эпитаксия – ключевая технология силовых МДП-транзисторов на карбиде кремния [Текст] А. В. Афанасьев [и др.] |
|
|
Vapour phase epitaxy as the key technology for power MIS-transistors based on silicon carbide eng |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил.: 9 рис. |
| Библиография | Библиогр.: с. 497 (18 назв.) |
| Аннотация | Улучшение технологии эпитаксиального роста наряду с улучшением качества подложек сделало возможным изготовление приборных структур, демонстрирующих преимущества карбида кремния как базового материала силовой электроники по сравнению с другими полупроводниками. |
|
Радиоэлектроника AR-MARS Полупроводниковые приборы AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
газофазная эпитаксия МДП-транзисторы карбид кремния силовая электроника энергоресурсы |
|
Ильин, В. А. 070 Лучинин, В. В. 070 Михайлов, А. И. 070 |
|
| ISSN | 1993-8578 |
| Название источника | Наноиндустрия |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | № 7/8. - С. 488-497 |
|
RU 17017092 20181206 RCR |
|
|
RU 17017092 20181206 |
|
|
RU AR-MARS 20181217 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20181217 |
|
| Тип документа | b |
|
code year no ss ad |
|
|
nani 2018 7/8 488 1 |
|
| 17104 | |
| Нанотехнологии | |
|
Afanasiev, A. V. 070 Ilijin, V. A. 070 Luchinin, V. V. 070 Mikhailov, A. I. 070 |
