| Индекс УДК | 621.382 |
|
Газофазная эпитаксия – ключевая технология силовых МДП-транзисторов на карбиде кремния [Текст] А. В. Афанасьев [и др.] |
|
| Аннотация | Улучшение технологии эпитаксиального роста наряду с улучшением качества подложек сделало возможным изготовление приборных структур, демонстрирующих преимущества карбида кремния как базового материала силовой электроники по сравнению с другими полупроводниками. |
| Название источника | Наноиндустрия |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | № 7/8. - С. 488-497 |
